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三菱电机推出新款1200V SiC-MOSFET 功耗低/减小车载充电器尺寸

时间:2020-06-19来源:关于继续开展新能源汽车推广应用 作者:新能源汽车杂志点击:
据国外媒体报道,近日,日本三菱电机公司发布并推出了N系列1200伏碳化硅场效应晶体管(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品功耗低,自启动容差高。它还有助于降低功耗并实现电源系统(需要高压转换)的小型化,如电动汽车车载充电器和光伏电源系统。产品样品

据国外媒体报道,近日,日本三菱电机公司发布并推出了N系列1200伏碳化硅场效应晶体管(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品功耗低,自启动容差高。它还有助于降低功耗并实现电源系统(需要高压转换)的小型化,如电动汽车车载充电器和光伏电源系统。产品样品将于今年7月上市。

(原件:三菱电机)

三菱电机还将在大型贸易展会上展示其新的N系列1200V碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管,包括将于11月16日至18日在中国上海举行的2020年PCIM亚洲(上海国际电力元件和可再生能源治理博览会)。

产品特性:

1.降低功耗,实现供电系统小型化

A.结型场效应晶体管(JFET)的掺杂技术不仅降低了1200伏碳化硅场效应晶体管的开关损耗和导通电阻,而且使其达到了行业领先的品质因数(FOM) ——1,450兆欧。与传统的硅绝缘栅晶体管(硅IGBT)相比,用于供电系统的1200伏碳化硅场效应晶体管的功耗降低了85%左右。

通过降低镜像电容(场效应晶体管结构中栅极和漏极之间的杂散电容),1200伏碳化硅场效应晶体管的自导通容差比竞争对手的产品提高了14倍。因此,可以实现快速开关操作,并且可以降低开关损耗。

因为降低了开关功率损耗,所以可以通过以更高的载波频率驱动功率半导体来实现冷却系统和外围部件(例如反射器)的小型化和简化,从而有助于减小整个电源系统的成本的大小。

2.有六个1200伏碳化硅场效应晶体管,包括符合AEC-Q101规格的型号,适用于各种应用

A和N系列1200伏碳化硅场效应晶体管产品包括符合美国汽车电子委员会AEC-Q101规格的型号。因此,该产品不仅适用于光伏系统等工业应用,还可用于电动汽车的车载充电器。

日本的新能源

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